SK 海力士计划采用1c nm 32Gb DRAM打造HBM4E内存,进一步提升容量
SK海力士技术人员KimKwiWook在IEEEIMW国际存储研讨会上透露,该企业计划使用1cnm制程的32GbDRAM裸片构建HBM4E内存,未来可实现4...
SK海力士技术人员KimKwiWook在IEEEIMW国际存储研讨会上透露,该企业计划使用1cnm制程的32GbDRAM裸片构建HBM4E内存,未来可实现4...
5月10日消息,据韩媒TheElec报道,三星电子内部已对其HBM内存开发部门进行“双轨化”改造,以增强其在HBM业务上的竞争力。具体而言,由现有DRAM...
SK海力士公司今日宣布推出新一代移动端NAND闪存解决方案产品“ZUFS4.0”,专为端侧AI手机进行优化。这种端侧AI指的是在设备本地运行的人工智能服务,不依赖于云端服务器进...
近期,存储器供应商的减产策略开始见效,导致存储产品价格持续上涨。据报道,2024年第二季度,DRAM和NAND闪存的价格将继续增长,其中NAND闪存的合约价将上涨约13~18%。这...
美光科技,作为全球存储芯片巨头,近日发布文件称,中国台湾地震将对公司DRAM产品供应造成高达5%的影响。尽管公司强调生产设施未受永久性影响,但生产恢复仍需时间。美光科技成立于197...